Imprint issue during retention tests for HfO2 -based FRAM: An industrial challenge? - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2021

Imprint issue during retention tests for HfO2 -based FRAM: An industrial challenge?

Jordan Bouaziz
N. Baboux

Résumé

Note: This paper is part of the Special Topic on Materials and Devices Utilizing Ferroelectricity in Halfnium Oxide.
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Origine : Fichiers éditeurs autorisés sur une archive ouverte

Dates et versions

hal-03177059 , version 1 (22-03-2021)

Identifiants

Citer

Jordan Bouaziz, Pedro Rojo Romeo, N. Baboux, Bertrand Vilquin. Imprint issue during retention tests for HfO2 -based FRAM: An industrial challenge?. Applied Physics Letters, 2021, 118 (8), pp.082901. ⟨10.1063/5.0035687⟩. ⟨hal-03177059⟩
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