Anisotropic and low damage III-V/Ge heterostructure etching for multijunction solar cell fabrication with passivated sidewalls
Domaines
Sciences de l'ingénieur [physics]Origine | Fichiers éditeurs autorisés sur une archive ouverte |
---|
Origine | Fichiers éditeurs autorisés sur une archive ouverte |
---|
UMI3463 LN2 : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-03171055
Soumis le : mercredi 6 octobre 2021-02:22:39
Dernière modification le : mardi 3 septembre 2024-11:16:05
Archivage à long terme le : vendredi 7 janvier 2022-18:09:19