Article Dans Une Revue
Semiconductor Science and Technology
Année : 2015
Jean-Louis LAZZARI : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-03151362
Soumis le : mercredi 24 février 2021-16:45:44
Dernière modification le : mercredi 15 novembre 2023-10:49:24
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-03151362 , version 1
- DOI : 10.1088/0268-1242/30/8/085016
Citer
N Yahyaoui, N Sfina, J.-L. Lazzari, A Bournel, M Said. Performance evaluation of high-detectivity p-i-n infrared photodetector based on compressively-strained Ge 0.964 Sn 0.036 /Ge multiple quantum wells by quantum modelling. Semiconductor Science and Technology, 2015, 30 (8), pp.085016. ⟨10.1088/0268-1242/30/8/085016⟩. ⟨hal-03151362⟩
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