Enhancement and optical control of ultrafast THz conductivity in MoSe2MoS2 vertical heterostructure - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Optics Express Année : 2021

Enhancement and optical control of ultrafast THz conductivity in MoSe2MoS2 vertical heterostructure

Exaltation de la réponse THz ultra-rapide induite optiquement dans une hétérostructure de MoSe2MoS2

Sunil Kumar
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1087312
Arvind Singh
Anand Nivedan
Marc Tondusson
  • Fonction : Auteur
Jérôme Degert
Eric Freysz

Résumé

THz conductivity of large area MoS2 and MoSe2 monolayers as well as their vertical heterostructure, MoSe2MoS2 is measured in the 0.3-5 THz frequency range. Compared to the monolayers, the ultrafast THz reflectivity of the MoSe2MoS2 heterobilayer is enhanced many folds when optically excited above the direct band gap energies of the constituting monolayers. The free carriers generated in the heterobilayer evolve with the characteristic times found in each of the two monolayers. Surprisingly, the same enhancement is recorded in the ultrafst THz reflectivity of the heterobilayer when excited below the MoS2 bandgap energy. A mechanism accounting for these observations is proposed.
Fichier principal
Vignette du fichier
MS_OE_VF.pdf (643.3 Ko) Télécharger le fichier
MS_OE_SI_vf.pdf (713.36 Ko) Télécharger le fichier
Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-03095040 , version 1 (04-01-2021)

Identifiants

Citer

Joon Seok, Hee Young, Sunil Kumar, Arvind Singh, Anand Nivedan, et al.. Enhancement and optical control of ultrafast THz conductivity in MoSe2MoS2 vertical heterostructure. Optics Express, In press, ⟨10.1364/OE.412548⟩. ⟨hal-03095040⟩

Collections

CNRS LOMA
144 Consultations
151 Téléchargements

Altmetric

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More