Direct Observation of Band Gap Renormalization in Layered Indium Selenide - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue ACS Nano Année : 2019

Direct Observation of Band Gap Renormalization in Layered Indium Selenide

Zailan Zhang
  • Fonction : Auteur
Zhesheng Chen
  • Fonction : Auteur
Meryem Bouaziz
  • Fonction : Auteur
Christine Giorgetti
Laboratoire des Solides Irradiés - Irradiated Solids Laboratory
Hemian Yi
  • Fonction : Auteur
Jose Avila
  • Fonction : Auteur
Bingbing Tian
  • Fonction : Auteur
Abhay Shukla
Luca Perfetti
Dianyuan Fan
  • Fonction : Auteur
Ying Li
Azzedine Bendounan

Domaines

Matière Condensée [cond-mat] Autre [cond-mat.other]

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https://hal.science/hal-03055030

Soumis le : vendredi 11 décembre 2020-15:04:33

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Zailan Zhang, Zhesheng Chen, Meryem Bouaziz, Christine Giorgetti, Hemian Yi, et al.. Direct Observation of Band Gap Renormalization in Layered Indium Selenide. ACS Nano, 2019, 13 (11), pp.13486-13491. ⟨10.1021/acsnano.9b07144⟩. ⟨hal-03055030⟩

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