Strain relaxation in semiconductor heteroepitaxial layers - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2020

Strain relaxation in semiconductor heteroepitaxial layers

Marie Pierre Chauvat
Magali Morales
Jun Chen
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 745206
  • IdHAL : jun-chen
Pierre Ruterana
Centre de recherche sur les Ions, les MAtériaux et la Photonique

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]
AbstractSSSI_XI_SlovakiaNov20.pdf (318.26 Ko) Télécharger le fichier
Origine Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Pierre Ruterana  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-03051501

Soumis le : jeudi 10 décembre 2020-11:05:11

Dernière modification le : mercredi 24 avril 2024-13:36:03

Télécharger pour visualiser

Dates et versions

hal-03051501 , version 1 (10-12-2020)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03051501 , version 1

Citer

Marie Pierre Chauvat, Magali Morales, Jun Chen, Pierre Ruterana. Strain relaxation in semiconductor heteroepitaxial layers. 11th Solid state surfaces and interfaces (SSSI 2020), Comenius University Bratislava, Nov 2020, Bratislava, Slovakia. pp.14. ⟨hal-03051501⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CEA CNRS INSA-ROUEN COMUE-NORMANDIE IRAMIS-CIMAP CEA-UPSAY UNIV-PARIS-SACLAY CEA-DRF UNIROUEN ENSICAEN UNICAEN INSA-GROUPE CIMAP PM2E-CIMAP GS-ENGINEERING IRAMIS
61 Consultations
38 Téléchargements

Partager

More