Strain dependence of dissociative adsorption of H 2 O on epitaxially strained, out-of-plane polarized, BaTiO 3 (001) thin films - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Thin Solid Films Année : 2021

Strain dependence of dissociative adsorption of H 2 O on epitaxially strained, out-of-plane polarized, BaTiO 3 (001) thin films

J.L. L Wang
  • Fonction : Auteur
S.J. J She
  • Fonction : Auteur
F. Gaillard
G. Niu
  • Fonction : Auteur
N. Barrett
  • Fonction : Auteur

Résumé

The strain dependence of the apparent activation energy of desorption of H 2 O on epitaxial, TiO 2-terminated, outof-plane polarized, BaTiO 3 (100) thin films has been investigated using X-ray diffraction, X-ray photoelectron spectroscopy and temperature-programmed desorption. The apparent activation energy of desorption increases significantly with the in-plane strain, suggesting that the strain-induced ferroelectric distortion determines the strength of the chemical bond between the dissociatively adsorbed water and the surface.
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Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-03035211 , version 1 (02-12-2020)

Identifiants

Citer

J.L. L Wang, S.J. J She, F. Gaillard, G. Niu, Bertrand Vilquin, et al.. Strain dependence of dissociative adsorption of H 2 O on epitaxially strained, out-of-plane polarized, BaTiO 3 (001) thin films. Thin Solid Films, 2021, 717, pp.138428. ⟨10.1016/j.tsf.2020.138428⟩. ⟨hal-03035211⟩
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