Impact of PECVD μc-Si:H deposition on tunnel oxide for passivating contacts - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue EPJ Photovoltaics Année : 2020

Impact of PECVD μc-Si:H deposition on tunnel oxide for passivating contacts

Anatole Desthieux
Jorge Posada
  • Fonction : Auteur
Pierre-Philippe Grand
  • Fonction : Auteur
Cédric Broussillou
  • Fonction : Auteur
Barbara Bazer-Bachi
  • Fonction : Auteur
Gilles Goaer
  • Fonction : Auteur
Davina Messou
  • Fonction : Auteur
Muriel Bouttemy
Etienne Drahi
Pere Roca I Cabarrocas
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 851966
Laboratoire de physique des interfaces et des couches minces [Palaiseau]

Domaines

Biotechnologie

Pere Roca i Cabarrocas  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-03030279

Soumis le : lundi 30 novembre 2020-06:07:54

Dernière modification le : jeudi 1 août 2024-13:48:05

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Dates et versions

hal-03030279 , version 1 (30-11-2020)

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Citer

Anatole Desthieux, Jorge Posada, Pierre-Philippe Grand, Cédric Broussillou, Barbara Bazer-Bachi, et al.. Impact of PECVD μc-Si:H deposition on tunnel oxide for passivating contacts. EPJ Photovoltaics, 2020, 11, pp.3. ⟨10.1051/epjpv/2020001⟩. ⟨hal-03030279⟩

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