Article Dans Une Revue
Applied Physics Express
Année : 2015
Farid Medjdoub : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-03028367
Soumis le : vendredi 27 novembre 2020-15:27:40
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
F Medjdoub, Riad Kabouche, Astrid Linge, Bertrand Grimbert, Malek Zegaoui, et al.. High electron mobility in high-polarization sub-10 nm barrier thickness InAlGaN/GaN heterostructure. Applied Physics Express, 2015, 8 (10), pp.101001. ⟨10.7567/APEX.8.101001⟩. ⟨hal-03028367⟩
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