In-situ passivation of quaternary barrier InAlGaN/GaN HEMTs - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Journal of Crystal Growth Année : 2017

In-situ passivation of quaternary barrier InAlGaN/GaN HEMTs

Piero Gamarra
  • Fonction : Auteur
Alcatel-Thales III-V Lab
Cedric Lacam
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Maurice Tordjman
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F Medjdoub
Marie-Antoinette Di Forte-Poisson
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Sciences de l'ingénieur [physics]

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hal-03028331 , version 1 (27-11-2020)

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Citer

Piero Gamarra, Cedric Lacam, Maurice Tordjman, F Medjdoub, Marie-Antoinette Di Forte-Poisson. In-situ passivation of quaternary barrier InAlGaN/GaN HEMTs. Journal of Crystal Growth, 2017, 464, pp.143-147. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2016.11.014⟩. ⟨hal-03028331⟩

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