The effect of nitridation on the optical properties of InAs quantum dots grown on GaAs substrate by MBE - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Vacuum Année : 2020

The effect of nitridation on the optical properties of InAs quantum dots grown on GaAs substrate by MBE

Syrine Naceur
  • Fonction : Auteur
Mohsen Choubani
  • Fonction : Auteur
Badreddine Smiri
  • Fonction : Auteur
Hassen Maaref
  • Fonction : Auteur
Guillaume Monier
Institut Pascal
Christine Robert-Goumet
Institut Pascal
Larbi Sfaxi
  • Fonction : Auteur
Bernard Gruzza
  • Fonction : Auteur
Ridha Mghaieth
  • Fonction : Auteur

Résumé

The effect of nitridation on the optical properties of InAs quantum dots grown on GaAs substrate by MBE, Vacuum,

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Micro et nanotechnologies/Microélectronique
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Soumis le : vendredi 20 novembre 2020-14:11:44

Dernière modification le : samedi 22 avril 2023-04:33:52

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hal-03016506 , version 1 (20-11-2020)

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Citer

Syrine Naceur, Mohsen Choubani, Badreddine Smiri, Hassen Maaref, Guillaume Monier, et al.. The effect of nitridation on the optical properties of InAs quantum dots grown on GaAs substrate by MBE. Vacuum, 2020, 172, pp.109097. ⟨10.1016/j.vacuum.2019.109097⟩. ⟨hal-03016506⟩

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