Electrical modeling of tapered TSV including MOS-Field effect and substrate parasitics: Analysis and application - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Microelectronics Journal Année : 2020

Electrical modeling of tapered TSV including MOS-Field effect and substrate parasitics: Analysis and application

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Agnès Bussy  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-03002039

Soumis le : jeudi 12 novembre 2020-16:16:27

Dernière modification le : mercredi 30 octobre 2024-18:16:43

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Dates et versions

hal-03002039 , version 1 (12-11-2020)

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Citer

Amira Nabil, Jose Bernardo, Yue Ma, Mohamed Abouelatta, Ahmed Shaker, et al.. Electrical modeling of tapered TSV including MOS-Field effect and substrate parasitics: Analysis and application. Microelectronics Journal, 2020, 100, pp.104797. ⟨10.1016/j.mejo.2020.104797⟩. ⟨hal-03002039⟩

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