Hindered electronic transport in two-dimensional metallic Er Si 2 nanoscale islands on Si(111): An STM study - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015) Année : 2005

Hindered electronic transport in two-dimensional metallic Er Si 2 nanoscale islands on Si(111): An STM study

I. Brihuega
  • Fonction : Auteur
E. Dupont-Ferrier
  • Fonction : Auteur
P. Mallet
Laboratoire d'Etudes des Propriétés Electroniques des Solides
L. Magaud
  • Fonction : Auteur
S. Pons
CV
J. Gómez-Rodríguez
  • Fonction : Auteur
J-Y. Veuillen

Domaines

Matière Condensée [cond-mat]

Stéphane Pons  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02989409

Soumis le : jeudi 5 novembre 2020-10:37:23

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Dates et versions

hal-02989409 , version 1 (05-11-2020)

Identifiants

Citer

I. Brihuega, E. Dupont-Ferrier, P. Mallet, L. Magaud, S. Pons, et al.. Hindered electronic transport in two-dimensional metallic Er Si 2 nanoscale islands on Si(111): An STM study. Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015), 2005, 72 (20), ⟨10.1103/PhysRevB.72.205309⟩. ⟨hal-02989409⟩

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