Integrated Variability Measurements of 28 nm FDSOI MOSFETs down to 4.2 K for Cryogenic CMOS Applications - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2020

Integrated Variability Measurements of 28 nm FDSOI MOSFETs down to 4.2 K for Cryogenic CMOS Applications

Andre Juge
  • Fonction : Auteur
Emmanuel M. Vincent
Philippe Galy
  • Fonction : Auteur
Tristan Meunier
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02986756 , version 1 (03-11-2020)

Identifiants

Citer

Bruna Cardoso Paz, Loick Le Guevel, Mikael Casse, Gerard Billiot, Gaël Pillonnet, et al.. Integrated Variability Measurements of 28 nm FDSOI MOSFETs down to 4.2 K for Cryogenic CMOS Applications. 2020 IEEE 33rd International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS), May 2020, Edinburgh, United Kingdom. ⟨10.1109/ICMTS48187.2020.9107906⟩. ⟨hal-02986756⟩
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