19.2 A 110mK 295µW 28nm FDSOI CMOS Quantum Integrated Circuit with a 2.8GHz Excitation and nA Current Sensing of an On-Chip Double Quantum Dot - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2020

19.2 A 110mK 295µW 28nm FDSOI CMOS Quantum Integrated Circuit with a 2.8GHz Excitation and nA Current Sensing of an On-Chip Double Quantum Dot

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Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-02986737 , version 1 (08-12-2021)

Identifiants

Citer

Loick Le Guevel, Gerard Billiot, Xavier Jehl, Silvano de Franceschi, Marcos Zurita, et al.. 19.2 A 110mK 295µW 28nm FDSOI CMOS Quantum Integrated Circuit with a 2.8GHz Excitation and nA Current Sensing of an On-Chip Double Quantum Dot. 2020 IEEE International Solid- State Circuits Conference - (ISSCC), Feb 2020, San Francisco, United States. pp.306-308, ⟨10.1109/ISSCC19947.2020.9063090⟩. ⟨hal-02986737⟩
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