Integration of RF inductors and filters on mesoporous silicon isolation layers

Jérôme Billoue; Gaël Gautier; Laurent Ventura

doi:10.1002/pssa.201000027

Article Dans Une Revue Physica Status Solidi A (applications and materials science) Année : 2011

Integration of RF inductors and filters on mesoporous silicon isolation layers

(1) , ,

1

Jérôme Billoue

Fonction : Auteur
PersonId : 18454
IdHAL : jerome-billoue
ORCID : 0000-0002-0034-1302
IdRef : 180638785

Laboratoire de Microélectronique de Puissance

CV

Gaël Gautier

Fonction : Auteur
PersonId : 18457
IdHAL : gael-gautier
ORCID : 0000-0002-6854-7040
IdRef : 069994293

CV

Laurent Ventura

Fonction : Auteur

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Jérôme Billoué : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02983911

Soumis le : vendredi 30 octobre 2020-14:09:31

Dernière modification le : mardi 24 septembre 2024-16:46:17

Dates et versions

hal-02983911 , version 1 (30-10-2020)

Identifiants

HAL Id : hal-02983911 , version 1
DOI : 10.1002/pssa.201000027

Citer

Jérôme Billoue, Gaël Gautier, Laurent Ventura. Integration of RF inductors and filters on mesoporous silicon isolation layers. Physica Status Solidi A (applications and materials science), 2011, 208 (6), pp.1449-1452. ⟨10.1002/pssa.201000027⟩. ⟨hal-02983911⟩

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