Transistors Haute Tension de type MOSFET et MESFET en diamant pour l'électronique de puissance
Résumé
Deux types de transistors à effet de champ seront présentés, permettant d'exploiter pleinement les caractéristiques du diamant monocristallin pour l'électronique de puissance. Les transistors fonctionnent en régime de déplétion profonde et la polarisation d'une grille Schottky (MESFET) ou isolée (MOSFET) permet l'obtention de l'état bloqué ou passant des transistors. L'intérêt de ces structures est d'obtenir une conduction « volumique » dans le diamant, tirant bénéfice de la haute mobilité des porteurs (état passant) et de la tenue diélectrique (état bloqué) du diamant. Deux preuves de concept expérimentales sont présentées : MESFET à tenue en tension supérieure à 2kV et faible résistance, et MOSFET à tenue en tension supérieure à 200V avec haute mobilité et faibles fuites.
Domaines
Energie électrique| Origine | Fichiers produits par l'(les) auteur(s) |
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