Méthode de caractérisation de transistors GaN pour la conception des convertisseurs statiques hautes fréquences - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2018

Méthode de caractérisation de transistors GaN pour la conception des convertisseurs statiques hautes fréquences

Résumé

Les composants de puissance à base de GaN présentent un fort potentiel pour le développement de convertisseurs statiques fonctionnant à hautes fréquences. Les principales propriétés de cette filière technologique conduisent à une réduction de la taille, du poids et du volume des convertisseurs d'énergie. La conception de ces convertisseurs hautes fréquences (HF) repose sur des simulations nécessitant des modèles de composants actifs très précis. Afin d'obtenir ces modèles, une phase de caractérisation est nécessaire. Ce travail présente une méthode de caractérisation des transistors de puissance GaN basée sur des mesures de paramètres S à l'aide de dispositifs d'adaptation sur circuit imprimé ainsi que sur des mesures en régime pulsé.
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Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-02981879 , version 1 (28-10-2020)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02981879 , version 1

Citer

Loris Pace, N. Defrance, Arnaud Videt, Nadir Idir, Jean-Claude de Jaeger. Méthode de caractérisation de transistors GaN pour la conception des convertisseurs statiques hautes fréquences. Symposium de Génie Electrique, Université de Lorraine [UL], Jul 2018, Nancy, France. ⟨hal-02981879⟩
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