L'effet de la température et de la tension sur des vieillissements HTRB et HTGB pour des HEMTs GaN de puissance
Résumé
Des vieillissements par palier de type HTRB et HTGB ont été menés sur des transistors HEMTs de puissance en GaN. Des variations de tension ou de température ont été effectuées afin de mieux comprendre l'effet de chaque cofacteur de vieillissement. Les tests ont démontré l'apparition de différents modes de défaillance en fonction de la plage de température. Ce travail a été réalisé afin de caractériser et vérifier les plages sur lesquels différents mécanismes de défaillance peuvent être activés sur ce type de composants et sur quelles plages de températures ces mécanismes peuvent se superposer.
Domaines
Energie électrique
Fichier principal
Effet_de_la_temperature_et_de_la_tension_sur_des_vieillissements_HTRB_et_HTGB_pour_des_HEMTs_GaN_de_puissance_SGE_1.pdf (824.37 Ko)
Télécharger le fichier
Origine | Fichiers produits par l'(les) auteur(s) |
---|