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Communication Dans Un Congrès Année : 2018

L'effet de la température et de la tension sur des vieillissements HTRB et HTGB pour des HEMTs GaN de puissance

Résumé

Des vieillissements par palier de type HTRB et HTGB ont été menés sur des transistors HEMTs de puissance en GaN. Des variations de tension ou de température ont été effectuées afin de mieux comprendre l'effet de chaque cofacteur de vieillissement. Les tests ont démontré l'apparition de différents modes de défaillance en fonction de la plage de température. Ce travail a été réalisé afin de caractériser et vérifier les plages sur lesquels différents mécanismes de défaillance peuvent être activés sur ce type de composants et sur quelles plages de températures ces mécanismes peuvent se superposer.
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Effet_de_la_temperature_et_de_la_tension_sur_des_vieillissements_HTRB_et_HTGB_pour_des_HEMTs_GaN_de_puissance_SGE_1.pdf (824.37 Ko) Télécharger le fichier
Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-02981877 , version 1 (28-10-2020)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02981877 , version 1

Citer

Omar Chihani, Loïc Théolier, Alain Bensoussan, Pierre Bondue, Jean-Yves Deletage, et al.. L'effet de la température et de la tension sur des vieillissements HTRB et HTGB pour des HEMTs GaN de puissance. Symposium de Génie Electrique, Université de Lorraine [UL], Jul 2018, Nancy, France. ⟨hal-02981877⟩
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