Article Dans Une Revue
IEEE Transactions on Electron Devices
Année : 2012
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https://hal.science/hal-02952204
Soumis le : mardi 29 septembre 2020-11:42:33
Dernière modification le : mercredi 23 août 2023-13:36:17
Citer
Lionel Trojman, L. Pantisano, L. Ragnarsson. High-Field Transport Investigation for 25-nm MOSFETs With 0.64-nm EOT: Intrinsic Performance and Parasitic Effects. IEEE Transactions on Electron Devices, 2012, 59 (7), pp.1856-1862. ⟨10.1109/TED.2012.2193402⟩. ⟨hal-02952204⟩
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