Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2012

High-Field Transport Investigation for 25-nm MOSFETs With 0.64-nm EOT: Intrinsic Performance and Parasitic Effects

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Dates et versions

hal-02952204 , version 1 (29-09-2020)

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Citer

Lionel Trojman, L. Pantisano, L. Ragnarsson. High-Field Transport Investigation for 25-nm MOSFETs With 0.64-nm EOT: Intrinsic Performance and Parasitic Effects. IEEE Transactions on Electron Devices, 2012, 59 (7), pp.1856-1862. ⟨10.1109/TED.2012.2193402⟩. ⟨hal-02952204⟩

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