Article Dans Une Revue
IEEE Transactions on Electron Devices
Année : 2014
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https://hal.science/hal-02952199
Soumis le : mardi 29 septembre 2020-11:40:49
Dernière modification le : samedi 24 janvier 2026-15:16:17
Citer
Lionel Trojman, Lars-Åke Ragnarsson, Nadine Collaert. Mobility Improvement Study for 8-Å-EOT HfO₂ UTBB-FD-SOI MOSFET Based on the Direct Extraction of the Back-Channel Mobility. IEEE Transactions on Electron Devices, 2014, 61 (11), pp.3632-3638. ⟨10.1109/TED.2014.2357673⟩. ⟨hal-02952199⟩
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