Article Dans Une Revue
IEEE Electron Device Letters
Année : 2014
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https://hal.science/hal-02952196
Soumis le : mardi 29 septembre 2020-11:39:47
Dernière modification le : mercredi 23 août 2023-13:36:17
Citer
Luis Miguel Procel, Felice Crupi, Jacopo Franco, Lionel Trojman, Ben Kaczer. Defect-Centric Distribution of Channel Hot Carrier Degradation in Nano-MOSFETs. IEEE Electron Device Letters, 2014, 35 (12), pp.1167-1169. ⟨10.1109/LED.2014.2361342⟩. ⟨hal-02952196⟩
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