Communication Dans Un Congrès Année : 2016
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Dates et versions

hal-02952143 , version 1 (29-09-2020)

Identifiants

Citer

J. J. Franco, B. Kaczer, S. Mukhopadhyay, P. Duhan, P. Weckx, et al.. Statistical model of the NBTI-induced threshold voltage, subthreshold swing, and transconductance degradations in advanced p-FinFETs. 2016 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), Dec 2016, San Francisco, United States. pp.15.3.1-15.3.4, ⟨10.1109/IEDM.2016.7838422⟩. ⟨hal-02952143⟩

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