Defect densities analysis in thin (i) a-Si:H passivation layer inserted in a-Si:H/c-Si heterojunction solar cells using coplanar conductance measurements : a temperature dependence study - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2020

Defect densities analysis in thin (i) a-Si:H passivation layer inserted in a-Si:H/c-Si heterojunction solar cells using coplanar conductance measurements : a temperature dependence study

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Micro et nanotechnologies/Microélectronique Energie électrique Optique / photonique Matériaux

Jean-Paul KLEIDER  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02946579

Soumis le : mercredi 23 septembre 2020-11:41:00

Dernière modification le : mercredi 30 octobre 2024-13:28:02

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Dates et versions

hal-02946579 , version 1 (23-09-2020)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02946579 , version 1

Citer

Sylvain Le Gall, Alexandra Levtchenko, Rudolf Brüggemann, Jean-Paul Kleider. Defect densities analysis in thin (i) a-Si:H passivation layer inserted in a-Si:H/c-Si heterojunction solar cells using coplanar conductance measurements : a temperature dependence study. 37th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition (EU PVSEC 2020), Sep 2020, Lisbon, Portugal. ⟨hal-02946579⟩

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