Low temperature epitaxial growth of GaP on Si by atomic-layer deposition with plasma activation - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Journal of Physics D: Applied Physics Année : 2020

Low temperature epitaxial growth of GaP on Si by atomic-layer deposition with plasma activation

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Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Micro et nanotechnologies/Microélectronique Energie électrique Optique / photonique Matériaux
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A Uvarov, A Gudovskikh, V Nevedomskiy, Artem Baranov, D Kudryashov, et al.. Low temperature epitaxial growth of GaP on Si by atomic-layer deposition with plasma activation. Journal of Physics D: Applied Physics, 2020, 53 (34), pp.345105. ⟨10.1088/1361-6463/ab8bfd⟩. ⟨hal-02946512⟩

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