‘Analysis of degradation mechanisms in AlInN/GaN HEMTs by electroluminescence technique’ - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Solid-State Electronics Année : 2017

‘Analysis of degradation mechanisms in AlInN/GaN HEMTs by electroluminescence technique’

F. Berthet
  • Fonction : Auteur
S. Petitdidier
  • Fonction : Auteur
Y. Guhel
  • Fonction : Auteur
Laboratoire Universitaire des Sciences Appliquées de Cherbourg
J.L. Trolet
  • Fonction : Auteur
P. Mary
  • Fonction : Auteur
Christophe Gaquière
B. Boudart
  • Fonction : Auteur

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

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https://hal.science/hal-02936083

Soumis le : vendredi 11 septembre 2020-00:58:27

Dernière modification le : mercredi 9 mars 2022-14:14:03

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Dates et versions

hal-02936083 , version 1 (11-09-2020)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02936083 , version 1

Citer

F. Berthet, S. Petitdidier, Y. Guhel, J.L. Trolet, P. Mary, et al.. ‘Analysis of degradation mechanisms in AlInN/GaN HEMTs by electroluminescence technique’. Solid-State Electronics, 2017. ⟨hal-02936083⟩

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