‘In situ Raman characterization post growth of CeO2 thin films sputtered on (111) Si in order to optimize the annealing parameters’ - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Microelectronic Engineering Année : 2014

‘In situ Raman characterization post growth of CeO2 thin films sputtered on (111) Si in order to optimize the annealing parameters’

Y. Guhel
  • Fonction : Auteur
Laboratoire Universitaire des Sciences Appliquées de Cherbourg
J. Bernard
  • Fonction : Auteur
B. Boudart
  • Fonction : Auteur

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

Yannick Guhel  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02936076

Soumis le : vendredi 11 septembre 2020-00:39:29

Dernière modification le : mercredi 9 mars 2022-14:14:03

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Dates et versions

hal-02936076 , version 1 (11-09-2020)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02936076 , version 1

Citer

Y. Guhel, J. Bernard, B. Boudart. ‘In situ Raman characterization post growth of CeO2 thin films sputtered on (111) Si in order to optimize the annealing parameters’. Microelectronic Engineering, 2014. ⟨hal-02936076⟩

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