‘Annihilation of electrical trap effects by irradiating AlGaN/GaN HEMTs with low thermal neutrons radiation fluence’ - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Microelectronics Reliability Année : 2012

‘Annihilation of electrical trap effects by irradiating AlGaN/GaN HEMTs with low thermal neutrons radiation fluence’

F. Berthet
  • Fonction : Auteur
H. Gualous
  • Fonction : Auteur
B. Boudart
  • Fonction : Auteur
J.L. Trolet
  • Fonction : Auteur
M. Piccione
  • Fonction : Auteur
Christophe Gaquière
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02936073 , version 1 (11-09-2020)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02936073 , version 1

Citer

F. Berthet, Y. Guhel, H. Gualous, B. Boudart, J.L. Trolet, et al.. ‘Annihilation of electrical trap effects by irradiating AlGaN/GaN HEMTs with low thermal neutrons radiation fluence’. Microelectronics Reliability, 2012. ⟨hal-02936073⟩
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