‘Annihilation of electrical trap effects by irradiating AlGaN/GaN HEMTs with low thermal neutrons radiation fluence’ - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Microelectronics Reliability Année : 2012

‘Annihilation of electrical trap effects by irradiating AlGaN/GaN HEMTs with low thermal neutrons radiation fluence’

F. Berthet
  • Fonction : Auteur
Y. Guhel
  • Fonction : Auteur
Laboratoire Universitaire des Sciences Appliquées de Cherbourg
H. Gualous
  • Fonction : Auteur
B. Boudart
  • Fonction : Auteur
J.L. Trolet
  • Fonction : Auteur
M. Piccione
  • Fonction : Auteur
Christophe Gaquière

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

Yannick Guhel  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02936073

Soumis le : vendredi 11 septembre 2020-00:31:57

Dernière modification le : mercredi 2 août 2023-16:40:25

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Dates et versions

hal-02936073 , version 1 (11-09-2020)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02936073 , version 1

Citer

F. Berthet, Y. Guhel, H. Gualous, B. Boudart, J.L. Trolet, et al.. ‘Annihilation of electrical trap effects by irradiating AlGaN/GaN HEMTs with low thermal neutrons radiation fluence’. Microelectronics Reliability, 2012. ⟨hal-02936073⟩

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