‘Impact of low gamma radiation dose on electrical trap related effects in AlGaN/GaN HEMTs’, - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Electronics Letters Année : 2012

‘Impact of low gamma radiation dose on electrical trap related effects in AlGaN/GaN HEMTs’,

F. Berthet
  • Fonction : Auteur
Y. Guhel
  • Fonction : Auteur
Laboratoire Universitaire des Sciences Appliquées de Cherbourg
B. Boudart
  • Fonction : Auteur
H. Gualous
  • Fonction : Auteur
J.L. Trolet
  • Fonction : Auteur
M. Piccione
  • Fonction : Auteur
Christophe Gaquière

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

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https://hal.science/hal-02936072

Soumis le : vendredi 11 septembre 2020-00:30:19

Dernière modification le : mercredi 9 mars 2022-14:14:03

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Dates et versions

hal-02936072 , version 1 (11-09-2020)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02936072 , version 1

Citer

F. Berthet, Y. Guhel, B. Boudart, H. Gualous, J.L. Trolet, et al.. ‘Impact of low gamma radiation dose on electrical trap related effects in AlGaN/GaN HEMTs’,. Electronics Letters, 2012. ⟨hal-02936072⟩

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