‘Characterization and analysis of electrical traps related effects on the reliability of AlGaN/GaN HEMTs’ - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Solid-State Electronics Année : 2012

‘Characterization and analysis of electrical traps related effects on the reliability of AlGaN/GaN HEMTs’

F. Berthet
  • Fonction : Auteur
Y. Guhel
  • Fonction : Auteur
Laboratoire Universitaire des Sciences Appliquées de Cherbourg
H. Gualous
  • Fonction : Auteur
B. Boudart
  • Fonction : Auteur
J.L. Trolet
  • Fonction : Auteur
M. Piccione
  • Fonction : Auteur
V. Sbrugnera
  • Fonction : Auteur
B. Grimbert
Christophe Gaquière

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

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https://hal.science/hal-02936070

Soumis le : vendredi 11 septembre 2020-00:28:08

Dernière modification le : mercredi 9 mars 2022-14:14:03

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Dates et versions

hal-02936070 , version 1 (11-09-2020)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02936070 , version 1

Citer

F. Berthet, Y. Guhel, H. Gualous, B. Boudart, J.L. Trolet, et al.. ‘Characterization and analysis of electrical traps related effects on the reliability of AlGaN/GaN HEMTs’. Solid-State Electronics, 2012. ⟨hal-02936070⟩

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