‘Power improvement of AlGaAs/InGaAs PHEMTs by using low gamma radiation dose’ - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Microelectronic Engineering Année : 2010

‘Power improvement of AlGaAs/InGaAs PHEMTs by using low gamma radiation dose’

B. Boudart
  • Fonction : Auteur
N. Vellas
  • Fonction : Auteur
Christophe Gaquière
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02936067 , version 1 (11-09-2020)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02936067 , version 1

Citer

Y. Guhel, B. Boudart, N. Vellas, Christophe Gaquière. ‘Power improvement of AlGaAs/InGaAs PHEMTs by using low gamma radiation dose’. Microelectronic Engineering, 2010. ⟨hal-02936067⟩
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