‘Power improvement of AlGaAs/InGaAs PHEMTs by using low gamma radiation dose’ - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Microelectronic Engineering Année : 2010

‘Power improvement of AlGaAs/InGaAs PHEMTs by using low gamma radiation dose’

Y. Guhel
  • Fonction : Auteur
Laboratoire Universitaire des Sciences Appliquées de Cherbourg
B. Boudart
  • Fonction : Auteur
N. Vellas
  • Fonction : Auteur
Christophe Gaquière

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

Yannick Guhel  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02936067

Soumis le : vendredi 11 septembre 2020-00:23:36

Dernière modification le : mercredi 9 mars 2022-14:14:03

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02936067 , version 1 (11-09-2020)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02936067 , version 1

Citer

Y. Guhel, B. Boudart, N. Vellas, Christophe Gaquière. ‘Power improvement of AlGaAs/InGaAs PHEMTs by using low gamma radiation dose’. Microelectronic Engineering, 2010. ⟨hal-02936067⟩

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