Realization of wafer-scale nanogratings with sub-50 nm period through vacancy epitaxy
Qiushi Huang
(1)
,
Qi Jia
(2)
,
Jiangtao Feng
(1)
,
Hao Huang
(3)
,
Xiaowei Yang
(1)
,
Joerg Grenzer
(4)
,
Kai Huang
(3)
,
Shibing Zhang
(3)
,
Jiajie Lin
(3)
,
Hongyan Zhou
(3)
,
Tiangui You
(3)
,
Wenjie Yu
(3)
,
Stefan Facsko
(4)
,
Philippe Jonnard
(5)
,
Meiyi Wu
(6)
,
Angelo Giglia
(7)
,
Zhong Zhang
(1)
,
Zhi Liu
(3)
,
Zhanshan Wang
(1)
,
Xi Wang
(3)
,
Xin Ou
(3)
1
Institute of Precision Optical Engineering, Department of Physics
2 UCAS - University of Chinese Academy of Sciences [Beijing]
3 Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences
4 Institut für Ionenstrahlphysik und Materialforschung
5 LCPMR - Laboratoire de Chimie Physique - Matière et Rayonnement
6 LCPMR - Laboratoire de Chimie Physique - Matière et Rayonnement
7 TASC - Laboratorio Nazionale TASC
2 UCAS - University of Chinese Academy of Sciences [Beijing]
3 Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences
4 Institut für Ionenstrahlphysik und Materialforschung
5 LCPMR - Laboratoire de Chimie Physique - Matière et Rayonnement
6 LCPMR - Laboratoire de Chimie Physique - Matière et Rayonnement
7 TASC - Laboratorio Nazionale TASC
Hao Huang
- Fonction : Auteur
- PersonId : 1062725
Philippe Jonnard
- Fonction : Auteur
- PersonId : 3510
- IdHAL : philippe-jonnard
- ORCID : 0000-0001-6162-1706
- IdRef : 089424697
Zhi Liu
- Fonction : Auteur
- PersonId : 944653
Zhanshan Wang
- Fonction : Auteur
- PersonId : 923489