Développement technologique d'un HEMT normally- off avec une grille à barrière P-GaN
Résumé
Les travaux portent sur la réalisation technologique d’un HEMT AlGaN/GaN normally-off avec une grille à barrière P-GaN. Des résultats de simulation ont montré que la tension de seuil de cette structure peut atteindre une valeur supérieure à 2 V et qu’elle est liée à la profondeur de gravure de la couche d’AlGaN. Nous avons développé une recette de gravure sèche avec une faible vitesse permettant un contrôle de gravure d’ordre nanométrique avec une rugosité de surface satisfaisante.
| Origine | Fichiers produits par l'(les) auteur(s) |
|---|