Modeled optical properties of SiGe and Si layers compared to spectroscopic ellipsometry measurements
C. Kriso
,
F. Triozon
(1)
,
C. Delerue
(2, 3)
,
L. Schneider
,
F. Abbate
(4)
,
E. Nolot
(1)
,
D. Rideau
(4)
,
Y.-M. Niquet
(5)
,
G. Mugny
(4)
,
C. Tavernier
(6)
1
CEA-LETI -
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
2 IEMN - Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
3 PHYSIQUE - IEMN - Physique - IEMN
4 ST-CROLLES - STMicroelectronics [Crolles]
5 LSIM - Laboratory of Atomistic Simulation
6 STMicroelectronics
2 IEMN - Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
3 PHYSIQUE - IEMN - Physique - IEMN
4 ST-CROLLES - STMicroelectronics [Crolles]
5 LSIM - Laboratory of Atomistic Simulation
6 STMicroelectronics
C. Kriso
- Fonction : Auteur
C. Delerue
- Fonction : Auteur
- PersonId : 175246
- IdHAL : christophe-delerue
- ORCID : 0000-0002-0427-3001
- IdRef : 035741163
L. Schneider
- Fonction : Auteur
E. Nolot
- Fonction : Auteur
- PersonId : 737532
- IdHAL : emmanuel-nolot
- ORCID : 0000-0002-6421-1419
- IdRef : 198601107