Estimation of losses of GaN HEMT in power switching applications based on experimental characterization - Archive ouverte HAL

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Article Dans Une Revue Computers and Electrical Engineering Année : 2020

Estimation of losses of GaN HEMT in power switching applications based on experimental characterization

(1) , (2, 3) , (1) , (1) , (1)

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Al Mehdi Bouchour

Fonction : Auteur

Groupe de physique des matériaux

Ahmed El Oualkadi

Fonction : Auteur
PersonId : 952816

Abdelmalek Essaadi University [Tétouan] = Université Abdelmalek Essaadi [Tétouan]

Ecole Nationale des Sciences Appliquées [Tanger]

O. Latry

Fonction : Auteur
PersonId : 175169
IdHAL : olivierl
ORCID : 0000-0002-2121-8864
IdRef : 151805482

Groupe de physique des matériaux

Pascal Dherbécourt

Fonction : Auteur
PersonId : 175161
IdHAL : pascal-dherbecourt
ORCID : 0000-0001-9110-358X
IdRef : 069275483

Groupe de physique des matériaux

Andres Echeverri

Fonction : Auteur

Groupe de physique des matériaux

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics] Physique [physics]

Olivier Latry : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02614065

Soumis le : mercredi 20 mai 2020-16:01:59

Dernière modification le : mercredi 24 avril 2024-13:36:03

Dates et versions

hal-02614065 , version 1 (20-05-2020)

Identifiants

HAL Id : hal-02614065 , version 1
DOI : 10.1016/j.compeleceng.2020.106622

Citer

Al Mehdi Bouchour, Ahmed El Oualkadi, O. Latry, Pascal Dherbécourt, Andres Echeverri. Estimation of losses of GaN HEMT in power switching applications based on experimental characterization. Computers and Electrical Engineering, 2020, 84, pp.106622. ⟨10.1016/j.compeleceng.2020.106622⟩. ⟨hal-02614065⟩

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