In-Situ Calibration and De-Embedding Test Structure Design for SiGe HBT On-Wafer Characterization up to 500 GHz - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2020

In-Situ Calibration and De-Embedding Test Structure Design for SiGe HBT On-Wafer Characterization up to 500 GHz

M. Cabbia
  • Fonction : Auteur
Marina Deng
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
S. Fregonese
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
M. De Matos
  • Fonction : Auteur
D. Celi
  • Fonction : Auteur
STMicroelectronics [Crolles]
T. Zimmer
  • Fonction : Auteur
NANOELECTRONIQUE/MODEL

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Marina DENG  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02569052

Soumis le : dimanche 10 mai 2020-23:08:57

Dernière modification le : mercredi 15 novembre 2023-14:53:48

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02569052 , version 1 (10-05-2020)

Identifiants

Citer

M. Cabbia, Marina Deng, S. Fregonese, M. De Matos, D. Celi, et al.. In-Situ Calibration and De-Embedding Test Structure Design for SiGe HBT On-Wafer Characterization up to 500 GHz. 2020 94th ARFTG Microwave Measurement Symposium (ARFTG), Jan 2020, San Antonio, United States. pp.1-4, ⟨10.1109/ARFTG47584.2020.9071733⟩. ⟨hal-02569052⟩

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