Article Dans Une Revue
Journal of Crystal Growth
Année : 2002
Regis Andre : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-02552828
Soumis le : jeudi 23 avril 2020-18:58:49
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:19:28
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-02552828 , version 1
- DOI : 10.1016/S0022-0248(01)01789-4
Citer
R. Andre, S. Wey, C.W. Tu. Competition between As and P for incorporation during gas-source molecular beam epitaxy of InGaAsP. Journal of Crystal Growth, 2002, 235 (1-4), pp.65-72. ⟨10.1016/S0022-0248(01)01789-4⟩. ⟨hal-02552828⟩
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