AMR sensors made of La0.67Sr0.33MnO3 epitaxial thin films for neuronal activity measurement - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2018

AMR sensors made of La0.67Sr0.33MnO3 epitaxial thin films for neuronal activity measurement

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique Electronique

Laurence Méchin  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02523187

Soumis le : samedi 28 mars 2020-15:23:48

Dernière modification le : mercredi 20 mars 2024-16:20:04

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02523187 , version 1 (28-03-2020)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02523187 , version 1

Citer

Olivier Rousseau, Francisco Frantz, Stéphane Flament, Bruno Guillet, Marc Lam Chok Sing, et al.. AMR sensors made of La0.67Sr0.33MnO3 epitaxial thin films for neuronal activity measurement. JEMS (The Joint European Magnetic Symposia), Sep 2018, Mayence, Germany. ⟨hal-02523187⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CNRS GREYC GREYC-ELECTRONIQUE COMUE-NORMANDIE ENSICAEN UNICAEN
32 Consultations
0 Téléchargements

Partager

More