RF Characterization of 28 nm FD-SOI Transistors Up to 220 GHz - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2019

RF Characterization of 28 nm FD-SOI Transistors Up to 220 GHz

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Marina DENG  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02517274

Soumis le : mardi 24 mars 2020-14:22:13

Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11

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Dates et versions

hal-02517274 , version 1 (24-03-2020)

Identifiants

Citer

Marina Deng, Sébastien Frégonèse, Benjamin Dorrnieu, Patrick Scheer, Magali de Matos, et al.. RF Characterization of 28 nm FD-SOI Transistors Up to 220 GHz. 2019 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), Apr 2019, Grenoble, France. pp.1-4, ⟨10.1109/EUROSOI-ULIS45800.2019.9041884⟩. ⟨hal-02517274⟩

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