Caractérisation RF de transistors bipolaires à hétérojonction SiGe jusqu’à 500 GHz - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2019
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02512232 , version 1 (19-03-2020)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02512232 , version 1

Citer

Marco Cabbia, Marina Deng, Chandan Yadav, Sebastien Fregonese, Magalie de Matos, et al.. Caractérisation RF de transistors bipolaires à hétérojonction SiGe jusqu’à 500 GHz. XIIIème colloque national du GDR SOC², Jun 2019, Montpellier, France. ⟨hal-02512232⟩
25 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More