Deposition of doped and undoped HfO2 for fast and low energy consumption ferroelectric devices - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Poster De Conférence Année : 2018

Deposition of doped and undoped HfO2 for fast and low energy consumption ferroelectric devices

Jordan Bouaziz
Pedro Rojo Romeo
Nicolas Baboux
Bruno Masenelli
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Dates et versions

hal-02506625 , version 1 (13-03-2020)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02506625 , version 1

Citer

Jordan Bouaziz, Bertrand Vilquin, Pedro Rojo Romeo, Nicolas Baboux, Bruno Masenelli. Deposition of doped and undoped HfO2 for fast and low energy consumption ferroelectric devices. 6th International Conference SENSO Workshop, Jun 2018, Gardanne, France. ⟨hal-02506625⟩
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