Article Dans Une Revue
Microelectronics Reliability
Année : 2015
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https://hal.science/hal-02500148
Soumis le : jeudi 5 mars 2020-18:17:12
Dernière modification le : mercredi 2 août 2023-16:40:25
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-02500148 , version 1
- DOI : 10.1016/j.microrel.2015.07.019
Citer
H. Arbess, F. Baccar, L. Theolier, S. Azzopardi, E. Woirgard. Mechanical stress investigation after technological process in Deep Trench Termination DT2 using BenzoCycloButene as dielectric material. Microelectronics Reliability, 2015, 55 (9-10), pp.2017-2021. ⟨10.1016/j.microrel.2015.07.019⟩. ⟨hal-02500148⟩
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