Ageing mechanisms in Deep Trench Termination (DT2) Diode - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Microelectronics Reliability Année : 2015

Ageing mechanisms in Deep Trench Termination (DT2) Diode

F. Baccar
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Fiabilité / Puissance
H. Arbess
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Fiabilité / Puissance
L. Theolier
Fiabilité / Puissance
S. Azzopardi
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Fiabilité / Puissance
E. Woirgard
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  • PersonId : 841231
Fiabilité / Puissance

Domaines

Energie électrique

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https://hal.science/hal-02500141

Soumis le : jeudi 5 mars 2020-18:12:43

Dernière modification le : mercredi 2 août 2023-16:40:25

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Dates et versions

hal-02500141 , version 1 (05-03-2020)

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Citer

F. Baccar, H. Arbess, L. Theolier, S. Azzopardi, E. Woirgard. Ageing mechanisms in Deep Trench Termination (DT2) Diode. Microelectronics Reliability, 2015, 55 (9-10), pp.1981-1987. ⟨10.1016/j.microrel.2015.06.132⟩. ⟨hal-02500141⟩

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