Electrical properties of thin silicon oxides grown at room temperature by ion beam sputtering technique - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Journal of Materials Science: Materials in Electronics Année : 2019

Electrical properties of thin silicon oxides grown at room temperature by ion beam sputtering technique

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Philippe FERRANDIS  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02494695

Soumis le : samedi 29 février 2020-01:24:52

Dernière modification le : mardi 3 septembre 2024-11:16:05

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hal-02494695 , version 1 (29-02-2020)

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Citer

Philippe Ferrandis, Mehdi Kanoun, Bernard André. Electrical properties of thin silicon oxides grown at room temperature by ion beam sputtering technique. Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2019, 30 (5), pp.4880-4884. ⟨10.1007/s10854-019-00782-7⟩. ⟨hal-02494695⟩

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