Electrical properties of thin silicon oxides grown at room temperature by ion beam sputtering technique - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Materials Science: Materials in Electronics Année : 2019
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hal-02494695 , version 1 (29-02-2020)

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Citer

Philippe Ferrandis, Mehdi Kanoun, Bernard André. Electrical properties of thin silicon oxides grown at room temperature by ion beam sputtering technique. Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2019, 30 (5), pp.4880-4884. ⟨10.1007/s10854-019-00782-7⟩. ⟨hal-02494695⟩
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