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Communication Dans Un Congrès Année : 2017

Évaluation de la fiabilité des composants HEMTs AlGaN / GaN à grille nanométrique sur substrat de silicium par des essais de vieillissement accéléré « on-state »

Domaines

Electronique
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02462775 , version 1 (31-01-2020)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02462775 , version 1

Citer

Hadhemi Lakhdar, Nathalie Labat, Arnaud Curutchet, N. Defrance, Marie Lesecq, et al.. Évaluation de la fiabilité des composants HEMTs AlGaN / GaN à grille nanométrique sur substrat de silicium par des essais de vieillissement accéléré « on-state ». JNM 2017, May 2017, Saint Malo, France. ⟨hal-02462775⟩
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