Communication Dans Un Congrès
Année : 2017
Arnaud Curutchet : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-02462765
Soumis le : vendredi 31 janvier 2020-15:02:56
Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-02462765 , version 1
Citer
Kalparupa Mukherjee, Frederic Darracq, Arnaud Curutchet, Nathalie Malbert, Nathalie Labat. Advantages of TCAD simulation towards inverstigation of reliability concerns in GaN HEMTs for RF power applications. BEE Week at IEEE IM an MTT-S Day, IEEE student Branch, Nov 2017, Bordeaux, France. ⟨hal-02462765⟩
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