Investigation of trap induced power drift on 0.15µm GaN technology after aging tests - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Microelectronics Reliability Année : 2019
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Dates et versions

hal-02462730 , version 1 (31-01-2020)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02462730 , version 1

Citer

Florent Magnier, Benoit Lambert, Christophe Chang, Arnaud Curutchet, Nathalie Labat, et al.. Investigation of trap induced power drift on 0.15µm GaN technology after aging tests. Microelectronics Reliability, 2019, 100-101. ⟨hal-02462730⟩
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