Article Dans Une Revue
Microelectronics Reliability
Année : 2019
Arnaud Curutchet : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-02462730
Soumis le : vendredi 31 janvier 2020-14:54:29
Dernière modification le : mercredi 2 août 2023-16:40:25
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-02462730 , version 1
Citer
Florent Magnier, Benoit Lambert, Christophe Chang, Arnaud Curutchet, Nathalie Labat, et al.. Investigation of trap induced power drift on 0.15µm GaN technology after aging tests. Microelectronics Reliability, 2019, 100-101. ⟨hal-02462730⟩
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