Investigation of trap induced power drift on 0.15µm GaN technology after aging tests - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2019

Investigation of trap induced power drift on 0.15µm GaN technology after aging tests

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Electronique
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Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-02462713 , version 1 (21-12-2021)

Licence

Paternité - Pas d'utilisation commerciale

Identifiants

  • HAL Id : hal-02462713 , version 1

Citer

Florent Magnier, Benoit Lambert, Christophe Chang, Arnaud Curutchet, Nathalie Labat, et al.. Investigation of trap induced power drift on 0.15µm GaN technology after aging tests. ESREF 2019, Sep 2019, Toulouse, France. ⟨hal-02462713⟩
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