Communication Dans Un Congrès
Année : 2016
Arnaud Curutchet : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-02462684
Soumis le : vendredi 31 janvier 2020-14:36:29
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-02462684 , version 1
Citer
Hadhemi Lakhdhar, Nathalie Labat, Arnaud Curutchet, N. Defrance, Marie Lesecq, et al.. Reliability assessment of ultra-short gate length AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate by on-state step stress. ESREF 2016, Sep 2016, Händel-Halle, Germany. ⟨hal-02462684⟩
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